Fortschrittliche, kostenreduzierende Metallisierung der Vorderseite

InCellPlate® Cu ist die neue Inline-Anlage von RENA für die Direktgalvanisierung von Silizium mit einem Ni-/Cu-/Ag-Stapel. In Kombination mit der Laserablation der Siliziumnitridschicht und anschließendem Inline-Glühen ermöglicht sie die vollständige, siebdruckfreie Metallisierung der Vorderseite für die Solarzellenherstellung.

Funktionen und Vorteile

  • Produktionsmaschine - bis zu 5000 Wafer/h
  • Massive galvanisierte Metallleiter
  • Betriebskosteneinsparungen von bis zu 3.5 $Ct/Zelle
  • Kontakthaftung entspricht derjenigen von standardmäßigen Siebdruckzellen
  • Modulzuverlässigkeit durch Fraunhofer ISE und Industriepartner bestätigt
  • Hochgradig spezialisierte Maschinenentwicklung für Galvanisierungstechnologie auf erprobter Plattform
  • Effizienzsteigerung um bis zu 0,3 % durch reduzierte Abschattung und Kontaktierung der geringen Emitteroberflächenkonzentrationen
  • Ermöglicht den Einsatz hochohmiger homogener Emitter
  • Homogene Metallverteilung für niedrigsten Serienwiderstand
  • Geringer Wasserverbrauch durch kaskadierte Spülung
  • Validiert auf PERC, TopCon und BSF Zellen

Patentierte einseitige Inline-Galvanisierung

  • Potenzialfreie Kontakte (keine Entmetallisierung der Kontakte erforderlich)
  • Reduzierung von chemischem Austrag und Betriebskosten
  • Keine Zerstörung der Al-Rückseite durch die trockene Wafer-Rückseite

Technologiepartner

  • Innolas Solutions: Hochmoderne Laserablationsausrüstung
  • MacDermid Enthone: Hocheffiziente Chemikalien zum Galvanisieren
VP Sales
Dr.-Ing. Ulrich Jäger
ZuständigZuständig für folgende Länder:
Weltweit