Reinigung

Die Verschmutzung von Oberflächen in Form von anhaftenden Partikeln und organischen/anorganischen Verunreinigungen stellt eine große Herausforderung in vielen Branchen dar. Eine solche Verschmutzung kann verschiedene Ursachen haben, z. B. Polieren, andere Arten der Vorbehandlung oder einfach Kontakt mit der Luft.  Reinigungsprozesse sind in vielen Branchen entscheidend für die Zuverlässigkeit der nachfolgenden Bearbeitung. So können selbst Partikel im kleinsten Nanometer-Bereich zu verheerenden Defekten im Fertigungsprozess von Halbleitern führen.

 

Prozesse

Die Reinigungsprozesse können von einer milden Reinigung auf Wasserbasis mit Additiven bis hin zur Anwendung aggressiver chemischer Lösungen reichen. Zu den Reinigungslösungen für Verschmutzungen durch Partikel gehören Piranha-Lösungen für große Partikel und organische Verunreinigungen und SC-1-Lösungen für kleine Partikel. Metallische Verunreinigungen können mit einer sauren Reinigung, etwa mit SC-2-Lösung, Piranha-Lösung oder verdünnter Flusssäure (HF), von der Substratoberfläche entfernt werden. RCA-Reinigungsverfahren sind eine Kombination aus SC-1- und SC-2-Reinigung, gefolgt von einer Behandlung mit einer verdünnten HF-Lösung oder BOE (Buffered Oxide Etch, gepufferte Oxidätze).

RENA bietet eine breite Palette von Anlagen für die Reinigung verschiedenster Substrattypen und -größen, wie z. B. Silizium-Wafer und Verbindungshalbleiter-Wafer, Glas-Wafer und Solarzellen. Zudem verfügt RENA über modernste Prozesse und Anlagen für die Endreinigung, die strengste Anforderungen erfüllen.

 

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