The wet processing company

InEtchSide

Einseitige Oxid-Ätzung

Die automatische Verarbeitungsanlage RENA InEtchSide wurde für die einseitige Entfernung von Siliziumoxid-Schichten und dotiertem Glas (z. B. PSG oder BSG) entwickelt. Dies kann bei der Herstellung hocheffizienter Zellenkonzepte zum Einsatz kommen, u. a. bei der einseitige Oxid-Ätzung mittels Fluorwasserstoffsäure (HF). Die Anlage wurde auf Grundlage der RENA NIAK Inline-Plattform entwickelt.

Funktionen und Vorteile

  • Vollautomatische, nasschemische, einseitige Ätzung in einem Inline-Prozess auf 5 Spuren
  • Einseitige Entfernung von Siliziumoxid (SiO2), dotiertem Glas (PSG/BSG)
  • Einsatz von HF für die einseitige Verarbeitung (optional weitere Chemikalien, z. B. H2SO4 oder BHF)
  • Integrierte Spülung und Trocknung von Wafern
  • Durchsatz bis zu 5000 Wafern/Stunde
  • kompatibel mit Wafer-Größe M0, M1, M2 und M4
  • Lange Lebensdauer des Bades dank Feed-and-Bleed-Funktion
  • Akkurates Dosiersystem für eine konstante Zusammensetzung des Bades
  • Verwendung eines Rollendesigns ohne O-Ring
  • Branchenweit geringste Bruchraten
  • Basiert auf der RENA NIAK Inline-Verarbeitungsplattform
  • Hohe Verfügbarkeit
  • Einfache Wartung

Optionen

  • MES-Schnittstelle (SECS/GEM)
  • Medienschrank für Chemikalienversorgung
  • Abpumpstation für die Entfernung der Chemikalien/des Abwassers
  • Sensoren für die Prozesssteuerung (z. B. pH, Leitfähigkeit)