氢氧化钾 (KOH) 蚀刻是一种广泛用于半导体制造的湿法化学工艺，用于制造硅微机械系统 (MEMS) 微结构。该工艺的另一用途是对太阳能电池的表面进行纹理化。KOH 是一种碱性各向异性湿法蚀刻剂，可用于创建深孔、窗口和通孔，用于制造传感器、硅通孔 (TSV) 和 3D 芯片。为此，RENA 的半导体部门提供 SiEtch，一种先进的浸没槽技术。SiEtch 在晶圆内以及批次之间提供出色的蚀刻速率均匀性、高蚀刻速率和一致的性能。此优势通过槽内高效的流动力学以及精确的化学浓度和温度控制实现。SiEtch 可以集成到我们的全自动和半自动半导体湿法工作台中。