金属蚀刻是半导体制造和封装过程中互连和传导路径图案化的关键步骤。为此，RENA 提供 TruEtch 槽技术，该技术可在整个晶圆上以及晶圆之间提供卓越的蚀刻均匀性。这种卓越的金属蚀刻均匀性在先进的浸没槽中通过结合晶圆旋转和微 N2 气泡搅拌实现。TruEtch 可以集成到我们的全自动和半自动湿法工作台中。RENA 的槽设计已在美国、欧洲和亚洲获得专利保护。

这种金属蚀刻技术可用于制造 MEMS 器件、RF IC 和具有金属图案（尺寸范围 2-5 µm）的光耦合器。使用 TruEtch 槽可以蚀刻 Si、SiO2 和 III-V 化合物等各种基板上的贵金属、铜 (Cu) 和钛钨 (TiW) 等各种金属。