内联单面多晶硅蚀刻

InPolySide 3+ 为 TOPCon 应用提供出色的背面和边缘蚀刻。去除了 LPCVD 和 PECVD 的多晶硅缠绕。具备高通量和十分灵活的晶圆尺寸,是下一代太阳能电池的理想工具。InPolySide 设计为节省空间的单机床解决方案,涵盖预氧化物蚀刻、多晶硅蚀刻、清洁或玻璃蚀刻和冲洗这些步骤。无需额外的晶圆处理。

应用领域

  • TopCon 技术
  • 可从 PERC 升级
  • 多晶硅背面和边缘蚀刻

特点与优势

  • 无分流 TopCon 电池的边缘蚀刻
  • 高度可变且知名的工艺,可适应客户需求:
       - 低 CoO
       - N 型电池
       - 适用于所有可用类型多晶硅(PECVD、LPCVD)的选择性发射极
  • RENA 专利工艺
  • 高度优化的硬件配置和流程设置
  • 单机床解决方案
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光伏销售总监
Dr.-Ing. Ulrich Jäger
负责负责对于以下国家:
全球