The wet processing company

InEtchSide

单面氧化刻蚀

RENA InEtchSide 自动化处理设备设计用于单面去除二氧化硅层与掺杂玻璃(例如 PSG 或 BSG)。这可用在设计高效电池概念中,例如使用氢氟酸 (HF) 的单面氧化刻蚀。其基于 RENA NIAK 链式平台。

特点和优势

  • 采用 5 道链式工艺的全自动湿法化学单面刻蚀
  • 单面去除二氧化硅 (SiO2)、掺杂玻璃 (PSG/BSG)
  • 使用 HF 进行单面处理(可选择添加化学品,例如 H2SO4 或 BHF)
  • 集成冲洗与干燥晶圆
  • 产能高达 5000 片/小时
  • 可相容 M0、M1、M2 与 M4 硅片尺寸
  • 借助 Bleed + Feed(分供)功能延长蚀槽寿命
  • 精确的计量系统,实现稳定的槽液组成
  • 使用无 O 型环辊设计
  • 破损率业界最低
  • 基于 RENA NIAK 链式处理平台
  • 运行时间长
  • 易于维护

选项:

  • MES 接口 (SECS/GEM)
  • 用于化学品供应的介质柜
  • 针对化学品排出/废水的废物泵出站
  • 工艺控制传感器(例如 pH 值、电导率)