15. 09. 2025
RENA Technologies auf der SEMICON Taiwan 2025: Innovative Nassprozesslösungen für die Halbleiterfertigung
RENA Technologies präsentierte sich stolz auf der SEMICON Taiwan 2025, die vom 10.–12. September im TaiNex 1, Taipeh stattfand. Am Stand zeigten wir unsere bewährten innovativen Nassprozesslösungen für die Halbleiterfertigung, Glasbearbeitung und Verbindungshalbleiter, und bekräftigten damit unsere Rolle als zuverlässiger Partner der Branche.
Unsere Anlagen sind ausgelegt auf hohen Durchsatz, präzise Prozesskontrolle und niedrigen Chemikalien- und Wasserverbrauch, um den anspruchsvollen Standards der modernen Halbleiterproduktion gerecht zu werden.
Im Fokus: Batch-Wafer-Processing & Advanced Glass Applications
Besucher erlebten unsere neuesten Technologien:
RENA Convergence – Hochdurchsatz-Plattform für Batch-Wafer-Processing im 150/200/300 mm-Bereich. Wichtige Vorteile: flexible Wafergrößen, optimierte Fluidsteuerung zur Reduzierung von Chemikalien und Wasser, SECS/GEM-300-Konformität.
Revolution+ – Kompakte, automatisierte Nassbank für mehrstufige Batch-Wafer-Processing-Prozesse. Highlights: Kapazität bis zu 70.000 Wafer/Monat, Dry-to-Dry-Prozess, ISO3/Klasse 1 Reinraum, effizienter Rotary-Roboter sowie SECS/GEM Schnittstellenoptionen zur nahtlosen Fab-Integration.
BatchGlass P3 (TGV) – Führendes Ätzsystem für Glaswafer- und TGV-(Through Glass Via) Anwendungen. Hauptmerkmale: Großformatige Panels (bis zu 510×515 mm), exzellente Ätzhomogenität und Oberflächenreinheit, FOUP-zu-FOUP Verarbeitung und SECS/GEM-300 Standard, ideal sowohl für Pilotlinien als auch für High-Volume Fertigung.
Globale Expertise – Lokale Unterstützung
Bei RENA begleiten wir unsere Kunden über den gesamten Lebenszyklus ihrer Anlagen – mit modernster Nassprozess-Technologie, maßgeschneiderten Lösungen und einem weltweiten Servicenetzwerk.
Ein herzliches Dankeschön an alle Besucher und Besucherinnen, die uns auf der SEMICON Taiwan 2025 besucht haben. Gemeinsam gestalten wir die Zukunft von Halbleiterfertigung, Glasbearbeitung und Nasschemie-Ätzprozessen.
